高解析穿透式電子顯微鏡 詳細資料 | |
簡稱 | 高解析穿透式電子顯微鏡(物理系) |
編號,依儀器 | A0008 |
中文名稱 | 高解析穿透式電子顯微鏡 |
英文名稱 | High Resolution Tranmission Electron Microscope(JEOL JEM-2100) |
圖片 | |
功能說明 | 1.TEM mode:影像觀察,解析度可達0.23nm(HR),倍率可達百萬倍以上,觀察明場像或暗場像。 2.SAD mode:選區繞射利用選區aperture做μm級的繞射,鑑定晶體結構。 3.NBD mode:微區繞射(nano beam diffraction),鑑定微區晶體結構。 4.EDS mode:將Electron beam縮成點狀作微區成分分析。 |
儀器服務項目 | JEM-2100為日本電子公司(JEOL Co. Ltd)所開發之穿透式電子顯微鏡,配備高性能 LaB6電子源,提供高亮度高空間解析度的電子束,適合多樣化的試片分析。JEM-2100的標準功能包括穿透影像觀察、電子繞射做晶體結構分析 (可做SAD及NBD)及EDS成分分析。 ●TEM mode:影像觀察,解析度可達0.19nm(UHR),倍率可達百萬倍以上,並可利用OBJ aperture 觀察明場像(Bright field image, 一般觀察)或暗場像(dark field mage, 某特定繞射晶面或缺陷觀察)。 ●SAD mode:選區繞射利用選區 aperture 做 um 級的繞射,鑑定晶體結構。 ●NBD mode:微區繞射 (nano beam diffraction) 利用微細電子束作 nm 級的繞射, 鑑定微區晶體結構。 ●EDS mode:將Electron beam 縮成點狀作微區成分分析。 |
儀器購置日期 | 2006/10/1 |
儀器購置金額 | 0 |
儀器廠牌 | JEOL |
型號 | JEOL JEM-2100 |
儀器規格 | 1.電子源:LaB6 2.操作電壓:80、100、120、160、200KV 3.解像力:Point:0.19nm 4.解像力:Lattice:0.14nm 5.放大倍率2000倍~150萬倍 6.雙傾斜基座:X軸±25°;Y軸±25° 7.配件: Oxford Energy Diapersive X-ray Analyzer |
主要配件,配件 | |
注意事項 | 本機台對於檢驗樣品的限制如下: a.待測樣品應該具有適當、足夠的機械強度,以避免在進出電鏡、或在檢測的操作過程中,發生剝落、碎裂的狀況。 b.低熔點的材料如:銦,錫等,會產生相變及蒸鍍效應,請勿使用。 c.在電子束照射下會分解或釋出氣體之樣品,如有機物、高分子等,會影響真空、造成污染,請勿使用。 d.具強磁性、磁性或易被電磁透鏡吸引的粉末型式樣品或材料,請勿使用。 e.未經正確處理或充分乾燥的粉末樣品,請勿使用。 |
儀器放置位置 | 基礎科學館108室 |
地址:台中市西屯區台灣大道四段1727號966信箱 / 基礎科學館312A 聯絡電話: 886-4-23591427 ext.9 電子信箱:thtech@thu.edu.tw
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